别被半导体高位吓退！国家队重仓逻辑 + 未来5年赛道全景，读懂本文，未来三年投资...

术道研究员

别被半导体高位吓退！国家队重仓逻辑 + 未来5年赛道全景，读懂本文，未来三年投资...

来自：MACD论坛(bbs.shudaoyoufang.com) 作者：术道研究员 浏览：69 回复：1

写在前面  很多投资者觉得半导体涨了很高，风险大，泡沫大，今天我们用一篇文章，来告诉大家未来三五年，核心关注方向，并且通过以下内容，看看几乎全是百亿起投的这些公司，真的有泡沫且那么大吗。建议收藏，反复来看。
昨天我们文章讲了沪硅产业，连年巨亏，股价平平，但它是我们半导体自主控制的基石，赔钱也要上，核心股东是地方国资、央企、集成电路基金，就是砸钱，也要补全产业链。这样的投资，民企不太可能投，周期太长，风险巨大。
大基金
这其中最绕不过去的就是国家集成电路产业投资基金，由财政部、国家开发银行、中国烟草等机构共同出资设立，通过市场化运作推动产业发展，大基金一期2014年成立，规模约1387亿元，基本“功成身退”，主要投资芯片制造环节等，像中芯国际、长江存储等。

大基金二期2019年成立，规模约2042亿元，投资期延长至15年，主要投资在半导体设备、材料等上游环节，同时布局存储器、特色工艺等细分领域。

大基金三期2024年5月成立，注册资本3440亿元，引入六大国有银行作为股东，提供长期耐心资本。投资方向聚焦于卡脖子环节，包括光刻机核心部件、先进封装、EDA工具、AI芯片等前沿技术领域。

高带宽内存

现在市场上最热的就是存储，价格涨上了天，一方面是AI服务器的硬刚需，另一方面是内存产能偏向HBM高带宽内存，导致普通内存产能不足涨价。

HBM高带宽内存产业链上游为原材料及设备，有电解液、前驱体、IC载板、光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备等，中游为HBM设计、制造与封测，下游应用于AI算力、数据中心、高性能计算、云计算、智能汽车等领域。

在内存制造领域，一共有四家企业，全部都是地方国资、大基金、央企等投资，他们分别是长鑫存储，长江存储，武汉新芯和晋华集成电路，各自侧重点都不一样。

长鑫存储是国内唯一实现DRAM规模化量产的企业，是国产HBM产业链的希望与支点，HBM约70%的价值和技术核心在于DRAM裸片上。截至2025年底，长鑫在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，月产能约30万片，2025年出货量同比增长50%，全球市场份额从第一季度的6%提升至第四季度的8%。长鑫在HBM2技术上已取得突破，向客户送样测试，预计2026年HBM2可实现小批量量产；HBM3样品已交付华为等客户，计划2026年实现量产，将与国际巨头技术差距缩小到2至3年。HBM3E（第五代）正在同步推进，预计2026—2027年完成技术攻关。

长江存储是武汉地方国资、大基金、国央企共同撑起来的闪存制造企业，主营业务是3D NAND闪存，公司成功研发出独有的晶栈 Xtacking创新架构，将存储单元与逻辑电路分离设计与制造，在性能、密度和能效上均具领先优势。基于该架构，长江存储在232层及以上技术节点上已实现全球领跑，产品广泛应用于数据中心、智能手机及大模型AI服务器中。2026年一季度公司营收已超200亿元，全球NAND闪存市场份额突破10%，稳居世界前列。

相对于长鑫提供的DRAM晶圆，长江存储的核心在于晶圆对晶圆的混合键合技术。在HBM堆叠生产中，这一技术可大幅提升带宽和散热效能，满足AI芯片对更高层数堆叠的需求。

武汉新芯已以被整合进长江存储，占股68%。武汉新芯采用三维集成多晶圆堆叠技术，成功投产国内第一条HBM产线，目前正在调试最新混合键合设备，即将量产的12层堆叠HBM2E芯片，标志着国产HBM技术迈出关键一步。目前产品良率约70%，而国际龙头SK海力士已做到95%。

晋华集成电路，这家企业大家是不是很陌生，投资近600亿元，几乎全部由福建地方国资、国企投资建立，专注于DRAM芯片制造‌，聚焦HBM2e产品，但技术验证与产能建设仍处于早期阶段。

在内存封装领域，长电5D封装良率约95%，为SK海力士提供HBM3E后道封装，深科技HBM3封装良率达98.2%，与三星相当，掌握16层堆叠技术，通富微电也已开始封装试产HBM2。

AI服务器存储体系

AI服务器的存储体系多元，是一个由HBM、DRAM、NVMe SSD、NOR Flash等各类介质共同构成的复杂分层矩阵，内存和闪存都扮演着不可或缺的角色。

高带宽内存HBM是GPU核心贴身工作台，为AI计算提供极致带宽和低延迟。 HBM3/HBM4带宽可达TB/s级。

主内存DDR核心介质和HBM一样，也是DRAM，是数据中转与预处理中心，位于CPU一侧，作为数据进出GPU的高速缓冲区。

固态硬盘SSD，存储介质是NAND Flash，是持久化数据仓库，存储海量训练/推理数据集、模型参数及系统文件。

NOR闪存，存储介质是NOR Flash，用于存储服务器底层固件和安全引导程序。

我们国家到2030年，部分国产替代比例要上升到70%以上。所以具备极大的成长空间。

算力预测 半导体产业链成长的根基

到2030年，行业保守预测，25,000–30,000 EFLOPS（百亿亿次浮点运算）。

全球计算联盟较为激进的预测，到了2030年，将达到105 000 EFLOPS。

华为更为激进，到了2035年，全球智能算力约1 200 000 000 EFLOPS。

中国信通院预测2030年数据为约50000 EFLOPS。

国内算力顶流国家队是三大运营商，其中移动92.5 EFLOPS，电信91 EFLOPS，联通45 EFLOPS，华为、阿里、腾讯、字节、百度没有具体披露，但根据预测数据，华为、阿里、字节大约超100 EFLOPS，腾讯、百度正在加速投资。

算力中心只有头部可能盈利，未来大概率有效利用率在30%左右，只有头部算力中心二才有资格与头部大模型与AI系统商合作，因为更稳定。这也给定了相关的投资方向。

国产存储器件设计/生产厂商概览（大部分）

HBM

长鑫存储：设计+制造(IDM)

武汉新芯：设计+制造

远见智存：Fabless设计

万润科技：设计

华为：设计

DRAM

长鑫存储：设计+制造

紫光国芯：Fabless设计

兆易创新：Fabless设计

东芯半导体：Fabless设计

NVMe SSD

得瑞领新：主控设计+模组

大普微：主控设计+模组

长江存储：NAND闪存制造+消费级SSD

忆恒创源：模组厂商

泽石科技：主控设计+模组

联芸科技：NAND主控芯片设计

平头哥：NAND主控IP授权

特纳飞：NAND主控芯片设计

NOR Flash

兆易创新：Fabless设计

普冉股份：Fabless设计

武汉新芯：设计+制造

东芯半导体：Fabless设计

成都华微：Fabless设计

聚辰股份：Fabless设计

中微半导：Fabless设计

南京优存科技：Fabless设计

国产极紫外光刻设备（EUV）最新进展

目前国内EUV光刻机有两种技术线路，一种是华为与新凯来有Hyperion-1（LDP），另一种是上海微电子Hyperion-1（LPP）。华为、上海微电子大家很熟悉，新凯来可能有些人比较陌生，它是深圳国资100%控股公司。

大家发现没，上面多次出现华为，华为在协助半导体企业成长时，出钱出力，投入大，华为必然成长为巨无霸，只是它不上市，要不然梭哈华为。

对比项
华为+新凯来 Hyperion-1（LDP）
上海微电子 Hyperion-1（LPP）
研发主体       
华为2012实验室 + 深圳新凯来（深圳国资）
上海微电子（SMEE，国有控股）+ 中科院光机所
光源路线        LDP：激光诱导放电等离子体
（自主创新，规避ASML专利）
LPP：激光等离子体
（对标ASML，但用固体激光替代CO₂）
主要定位       
小批量先进制程：军用、高端FPGA、AI芯片、3D封装
通用先进制程：面向中芯/华虹7–5nm量产线，兼顾存储/逻辑芯片
当前阶段        试产验证（2025Q3下线）
，中芯京城200mm线跑片
原型机集成+工艺适配
，2026Q3计划完成系统验证
先看成绩：

华为+新凯来（LDP）

2025Q3：原型机下线，13.5nm波长验证成功

2025Q4：中芯京城200mm产线试产，5nm流片通了

2026Q1：发布Hyperion-2规划：150W、150片/小时、3nm DRAM

2026Q3：Hyperion-1完成量产验证，启动年产5台小批量

上海微电子（LPP）

2025Q2：LPP光源效率3.42%发表，固体激光路线定型

2025Q4：两镜光学系统集成完成，通过实验室测试

2026Q3：计划完成整机系统验证，送中芯国际工艺适配

2027Q4：工程样机验收，目标150W光源、良率≥80%

总结

写到这里，已经快3000字了，估计很多人都看不下去了。但是还是建议耐心看完，这只是冰山一角。

我们还没有梳理民企，以及大基金参与的半导体设备、材料、软件等公司，比如材料里有沪硅产业、南大光电、茂莱光学、鼎龙股份、中船特气，设备公司有北方华创、中微公司、长川科技、拓荆科技、芯源微，制造有中芯国际、中芯北方、华虹半导体，设计有华大九天、格科微、士兰微、长鑫存储、长江存储，封测有长电科技、华天科技、通富微电、长电微电，还有很多很多公司，并没有写到文章里，但是看到这里，是不是发现我们半导体产业链条已经非常非常完善了。

自2005年的国家重大专项推出以来，奠定了我国的科技自主创新与制造，以及产业链的完成，半导体产业链自主控制是必然，这是所有一些科技的根基。

需求机会

第一阶段：核心硬科技，高景气、强刚需

半导体设备、材料（产业链基石，国产替代核心）

算力芯片（GPU/CPU/NPU，AI 核心引擎）

HBM 高带宽内存（AI “超级记忆体”，供需缺口显著）

光通信（高速光模块 / 光芯片，数据传输骨干）

尖端制造（精密加工、先进封装等，硬科技底座）

第二阶段：轮动扩散，确定性强、空间广阔

算力服务（数据中心、AI 算力租赁，基础设施落地）

商业航天（卫星互联网、低成本发射，空间基建）

人形机器人（精密减速器、伺服电机、控制器，产业化前夕）

生物制造（合成生物学、生物基材料，绿色制造新赛道）

医药服务（CXO、高端医疗器械，创新药产业链上游）

低空经济（eVTOL、无人机运营，城市空中交通）

脑机接口（医疗康复、脑科学研究，前沿技术突破）

股市上涨，与政策导向，经济发展核心紧密相关，在其他产业均不景气的基础上，以上这些，就是未来三五年资金抱团，一起“吹泡泡”的核心方向。

这些方向里，相对较低估值的，成长空间巨大的，甚至五倍十倍的，并不太多，基础壁垒，业绩的确定性，业绩的巨大弹性，决定了股价的高度。

相关的报告术道有方也在制作中。

在未来，至少5-7成的仓位，需要和以上相关。否则，会踏空这一轮科技牛市。

国内与国际如此庞大的投资，所有国家与企业都在赌一个科技世界的未来，没有泡沫，至少现在没有。话又说回来，股市不就在吹泡泡和灭泡泡中循环吗！

结果是必然的。学习、配置、实战，欢迎加入术道有方最后一个三年班，福利招生即将截止，咨询微信：35550268

百无壹用

这样说，大普微何时过1000？